April 23, 2021

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Kioxia y Western Digital anuncian una memoria flash NAND de 6ª generación con 162 capas

Kioxia Corporation y Western Digital Corp., anunciaron que las compañías han desarrollado su sexta generación, tecnología de memoria flash 3D de 162 capas. Marcando el siguiente hito en la asociación de empresas conjuntas de 20 años de las empresas, esta es la tecnología de memoria flash 3D más alta y de mayor densidad de las empresas hasta la fecha, utilizando una amplia gama de innovaciones tecnológicas y de fabricación.

“A través de nuestra sólida asociación que ha abarcado dos décadas, Kioxia y Western Digital han creado con éxito capacidades inigualatorias en la fabricación y la I+D”, dijo Masaki Momodomi, Director de Tecnología de Kioxia. “Juntos, producimos más del 30 por ciento1 de los bits de memoria flash del mundo y somos firmes en nuestra misión de proporcionar una capacidad excepcional, rendimiento y fiabilidad a un costo convincente. Cada uno de nosotros ofrecemos esta propuesta de valor en una amplia gama de aplicaciones centradas en los datos, desde la electrónica personal hasta los centros de datos, así como las aplicaciones emergentes habilitadas por redes 5G, inteligencia artificial y sistemas autónomos”.

Más allá de Vertical Scaling – New Architecture Leverages New Innovations “A medida que la Ley de Moore alcanza sus límites físicos en toda la industria de semiconductores, hay un lugar donde la Ley de Moore continúa su relevancia, eso está en el punto de vista”, dijo la Dra. Siva Sivaram, Presidenta de Tecnología y Estrategia de Western Digital. “Para continuar estos avances y satisfacer las crecientes demandas de datos del mundo, un nuevo enfoque para el escalado de memoria flash 3D es fundamental. Con esta nueva generación, Kioxia y Western Digital están introduciendo innovaciones en escala vertical y lateral para lograr una mayor capacidad en un troquel más pequeño con menos capas. Esta innovación, en última instancia, ofrece el rendimiento, la fiabilidad y el costo que los clientes necesitan”.
Esta memoria flash 3D de sexta generación cuenta con una arquitectura avanzada más allá de la matriz convencional de agujeros de memoria de ocho escalonados y alcanza hasta un 10 por ciento más de densidad de matriz de celdas laterales en comparación con la tecnología de quinta generación. Este avance de escala lateral, en combinación con 162 capas de memoria vertical apilada, permite una reducción del 40 por ciento en el tamaño del troquel en comparación con la tecnología de apilamiento de 112 capas, optimizando el costo.
Los equipos de Kioxia y Western Digital también aplicaron la colocación de CMOS circuit under array y la operación de cuatro aviones, que en conjunto ofrecen casi 2,4 veces mejoría en el rendimiento del programa y un 10 por ciento de mejora en la latencia de lectura en comparación con la generación anterior. El rendimiento de E/S también mejora en un 66 por ciento, lo que permite que la interfaz de próxima generación admita la necesidad cada vez mayor de velocidades de transferencia más rápidas.
En general, la nueva tecnología de memoria flash 3D reduce el costo por bit, así como aumenta los bits fabricados por oblea en un 70 por ciento, en comparación con la generación anterior. Kioxia y Western Digital continúan impulsando la innovación para garantizar un escalado continuo para satisfacer las necesidades de los clientes y sus diversas aplicaciones. Tags: Tecnología, Kioxia, Western Digital, 6th-Gen 3D NAND Flash Memory