agosto 2, 2021

Samsung Electronics anunció que ha desarrollado la primera tecnología 3D-TSV (Through Silicon Via) de 12 capas de la industria

Samsung ha avanzado en su tecnología de empaquetamiento de chips de memoria al permitir que los subchips también se conecten a la PCB mediante vías a través del silicio. Este nuevo sistema permite la unión de hasta doce chips de DRAM agujereados más de 60 000 veces en el mismo grosor de paquete de 720 µm, teniendo doce capas de memoria en lugar de ocho capas. La ventaja de este empaquetamiento es que las líneas de comunicación son más cortas que benefician la latencia de comunicación, pero también resulta en chips de memoria DRAM más compactos. Eso permite que Samsung pueda ofrecer con este método de encapsulado unos chips de DRAM de 24 GB frente a los de 8 GB actuales. Si deseas más información visita: Samsung [gallery]]]>